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CSP090N06S2H规格书详情
描述 Description
屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET， SGT)功率器件栅电极，下半部分是屏蔽栅电极。
CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计，屏蔽栅于源极短接，屏蔽掉了大部分Qgd电荷，大大降低器件的米勒电容，有效提升器件的开关速度，开关损耗更低，沟槽深度加深降低导通电阻，导通损耗更低。
技术参数
- 制造商编号
：CSP090N06S2H
- 生产厂家
：CoolSemi
- RDS(on)(mΩ)@ Typ.
：7.5
- RDS(on)(mΩ)@ Max.
：9
- V(GS)th(V)
：2.6
- Package
：TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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