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CSLS030N03S2规格书详情
描述 Description
屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件栅电极,下半部分是屏蔽栅电极。
CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。
技术参数
- 制造商编号
:CSLS030N03S2
- 生产厂家
:CoolSemi
- RDS(on)(mΩ)@ Typ.
:2.6
- RDS(on)(mΩ)@ Max.
:3
- V(GS)th(V)
:2.5
- Package
:DFN5*6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Honeywell(霍尼韦尔) |
24+ |
插件 |
7350 |
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询价 | ||
N/A |
25+ |
NA |
880000 |
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Honeywell |
24+ |
原厂原装 |
6000 |
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询价 | ||
HONEYWELL |
2407+ |
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HONEYWELL |
30 |
询价 | |||||
HONEYWELL |
24+ |
con |
22 |
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询价 | ||
HONEYWELL |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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Honeywell(霍尼韦尔) |
2447 |
Module |
115000 |
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CSC |
23+ |
原厂正规渠道 |
5000 |
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询价 | ||
HONEYWEL |
23+ |
原厂封装 |
9526 |
询价 |