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厂商型号

CSD87503Q3ET

功能描述

CSD87503Q3E 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

丝印标识

87503E

封装外壳

VSON

文件大小

770.6 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 23:00:00

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CSD87503Q3ET规格书详情

1 Features

1• Dual N-Ch Common Source MOSFETs

• Optimized for 5-V Gate Drive

• Low-Thermal Resistance

• Low Qg and Qgd

• Lead-Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

2 Applications

• USB Type-C/PD VBus Protection

• Battery Protection

• Load Switch

3 Description

The CSD87503Q3E is a 30-V, 13.5-mΩ, common

source, dual N-channel device designed for USB

Type-C/PD and battery protection. This SON 3.3 ×

3.3 mm device has low drain-to-drain on-resistance

that minimizes losses and offers low component

count for space constrained applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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