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CSD75211W1723中文资料德州仪器数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
CSD75211W1723
- 功能描述：
MOSFET Dual N-Channel Nex FET Power MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Texas Instruments |
2022+ |
12-DSBGA |
38550 |
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TI |
25+ |
DSBGA12 |
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TI |
23+ |
NA |
20000 |
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TI |
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BGA12 |
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TI/德州仪器 |
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NA/ |
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TI |
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TI |
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DSBGA |
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TI |
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DSBGA12 |
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TI/德州仪器 |
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TI/德州仪器 |
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