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CSD19502Q5BT	文件：932.02 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19502；Package：VSON-CLIP；CSD19502Q5B 80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 3.4 mΩ, 文件：932.02 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19502Q5BT	文件：841.26 Kbytes Page：14 Pages	80V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：841.26 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19502Q5BT.B	文件：932.02 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD19502；Package：VSON-CLIP；CSD19502Q5B 80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 3.4 mΩ, 文件：932.02 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19502Q5B	文件：932.02 Kbytes Page：12 Pages	CSD19502Q5B 80 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 3.4 mΩ, 文件：932.02 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19502Q5B	文件：1.37692 Mbytes Page：13 Pages	80 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.37692 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19502Q5B	文件：841.26 Kbytes Page：14 Pages	80V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：841.26 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CSD19502Q5BT供应商更新时间2025-10-4 9:38:00

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