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CSD18510KTTT	文件：413.74 Kbytes Page：13 Pages	CSD18510KTT 40-V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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CSD18510KCS	文件：321.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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更多CSD18510KTTT供应商更新时间2024-4-30 14:41:00