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厂商型号

CSD17507Q5A

功能描述

CSD17507Q5A 30-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

CSD17507

封装外壳

VSONP

文件大小

441.76 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-27 17:42:00

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CSD17507Q5A规格书详情

1 Features

1• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low-Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Lead-Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

2 Applications

• Point-of-Load Synchronous Buck in Networking,

Telecom and Computing Systems

• Optimized for Control FET Applications

3 Description

This 30-V, 9-mΩ, SON 5-mm × 6-mm NexFET™

power MOSFET has been designed to minimize

losses in power conversion applications.

产品属性

  • 型号:

    CSD17507Q5A

  • 功能描述:

    MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
22+
QFN
3197
仓库现货,终端可送样品
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TEXAS INSTRUMENT
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