CSD16570Q5BT.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

厂商型号	CSD16570Q5BT.B
功能描述	CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
丝印标识	CSD16570
封装外壳	VSON-CLIP
文件大小	503.52 Kbytes
页面数量	12 页
生产厂商	TI
中文名称	德州仪器
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-9 23:00:00
人工找货	CSD16570Q5BT.B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

1 Features

1• Extremely Low Resistance

• Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

2 Applications

• ORing and Hot Swap Applications

3 Description

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power

MOSFET is designed to minimize resistance for

ORing and hot swap applications and is not designed

for switching applications.

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