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厂商型号

CSD13302WT.B

功能描述

CSD13302W 12 V N Channel NexFET™ Power MOSFET

丝印标识

302

封装外壳

DSBGA

文件大小

548.23 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

TI

中文名称

德州仪器

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-19 9:28:00

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CSD13302WT.B规格书详情

1 Features

1• Ultra Low On Resistance

• Low Qg and Qgd

• Small Footprint 1 mm × 1 mm

• Low Profile 0.62 mm Height

• Pb Free

• RoHS Compliant

• Halogen Free

2 Applications

• Battery Management

• Load Switch

• Battery Protection

3 Description

This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to

deliver the lowest on resistance and gate charge in a

small 1 x 1 mm outline with excellent thermal

characteristics and an ultra low profile.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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