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IR3876MTRPbF	文件：959.81 Kbytes Page：20 Pages	12AHIGHLYINTEGRATEDWIDE-INPUTVOLTAGE,SYNCHRONOUSBUCKREGULATOR	IRF International Rectifier	IRF
IRDC3876	文件：1.1057 Mbytes Page：15 Pages	TheIR3876SupIRBuckTMisaneasy-to-use,fullyintegratedandhighlyefficientDC/DCvoltageregulator.	IRF International Rectifier	IRF
KTC3876	文件：122.71 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ExcellenthFELinearity:hFE(2)=25(Min.) atVCE=6V,IC=400mA. •ComplementarytoKTA1505.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3876	文件：135.31 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ComplementaryToKTA1505. ●ExcellentHFELinearity. ●Lownoise. APPLICATIONS ●Generalpurposeapplication,switchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC3876	文件：742.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighhFE •ComplementarytoKTA1505	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTC3876	文件：183.05 Kbytes Page：2 Pages	0.5A,35VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURE •HighhFE •ComplementarytoKTA1505	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KTC3876	文件：135.42 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC3876	文件：228.79 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •HighhFE •ComplementarytoKTA1505	MAKOSEMIMAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 美科半导体美科半导体股份（香港）有限公司	MAKOSEMI
KTC3876	文件：1.20723 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighhFE ComplementarytoKTA1505	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KTC3876	文件：302.55 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •HighhFE •ComplementarytoKTA1505	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH

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