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CSB130N08S2中文资料SGT MOSFET数据手册CoolSemi规格书
CSB130N08S2规格书详情
描述 Description
屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件栅电极,下半部分是屏蔽栅电极。
CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。
技术参数
- 制造商编号
:CSB130N08S2
- 生产厂家
:CoolSemi
- RDS(on)(mΩ)@ Typ.
:11
- RDS(on)(mΩ)@ Max.
:13
- V(GS)th(V)
:1.8
- Package
:TO-263
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CS |
23+ |
10000 |
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询价 | |||
2022+ |
143002 |
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2450+ |
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0035- |
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24+ |
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