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IRFR9020TRLPBF	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR9020TRPBF	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFU9020	文件：238.31 Kbytes Page：8 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS P-CHANNEL -50Volt,0.20OhmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9020	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9020	文件：1.79403 Mbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemountable(orderasIRFR9020, SiHFR9020) •Straightleadoption(orderasIRFU9020, SiHFU9020) •Repetitiveavalancheratings •DynamicdV/dtrating •Simpledriverequirements •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseeww	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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