CS8312中文资料IGBT 点火预驱动器，带动态电流调节数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
CS8312 |
| 参数属性 | CS8312 封装/外壳为8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP |
| 功能描述 | IGBT 点火预驱动器，带动态电流调节 |
| 封装外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 20:00:00 |
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CS8312规格书详情
描述 Description
CS8312 是一款双极微处理器接口集成电路，适用于驱动 IGBT（或逻辑电平 MOSFET），为严苛运行环境中的大型电感负载供电。该集成电路的动态电流限制功能让微处理器能够针对系统的实时需求调节电流限制阈值。CLI，即电流限值输入根据系统微处理器的指示将 IGBT 的电流限值设置为高值或低值。CLI 还会升高和降低诊断 FLAG 输出信号上的阈值. 当电流水平接近 IGBT 上的电流限值时，FLAG 输出会向微处理器发出信号。CTRL 输入启用 FLAG 功能。
特性 Features
• mP Compatible Inputs
• External Sense Resistor
• Flag Signal to Indicate Output Status
简介
CS8312属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的CS8312栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号：
CS8312YN8
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
单路
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
7V ~ 10V
- 输入类型：
非反相
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：
8-PDIP
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
8-PDIP |
54648 |
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ON/安森美 |
24+ |
8-PDIP |
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ON |
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CS |
24+ |
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ON |
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ON Semiconductor |
22+ |
8PDIP |
9000 |
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CS |
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SMD-8 |
10800 |
原装正品,假一罚十 |
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ON Semiconductor |
24+ |
8-PDIP |
65200 |
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ON |
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