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F6122SEVS	文件：244.41 Kbytes Page：3 Pages	Dual-beamRxActiveBeamformingIC17.7GHz–21.2GHz Features ■17.7GHz–21.2GHzoperation ■Supports4dual-polor8single-polelements ■Twosimultaneousandindependentbeamoutputs ■360°phasecontrolwith6-bitresolution ■28dBgaincontrolwith0.45dBstepsize ■2.3Vnominalsinglesupplyinput ■Standard1.8Vdigitallogic ■IDACf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
G6122	文件：117.54 Kbytes Page：4 Pages	Infrareddetectormodulewithpreamp InfrareddetectormodulewithpreampThermoelectricallycooledtype Easy-to-usedetectormodulewithbuilt-inpreamp InfrareddetectormodulesoperatejustbyconnectingtoaDCpowersupply.ThedetectorelementisselectablefromamongInGaAs,PbS,PbSe,MCT,InAsandInSb,whichareallcombi	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
ILI6122	文件：1.05791 Mbytes Page：57 Pages	1200-OutputChannelTFTLCDSourceDriverwithTCON	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
L6122	文件：182.9 Kbytes Page：9 Pages	100VDMOSSWITCHES DESCRIPTION RealizedwiththeMultipower-BCDmixedbipolar/CMOS/DMOSprocess,theL6122/23monolithicthreeDMOSswitchisdesignedforhighcurrent,highvoltageswitchingapplications.Eachofthethreeswitchesiscontrolledbyalogicinputandallthreearecontrolledbyacommonenableinput	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LAKW6122MEL	文件：77.19 Kbytes Page：2 Pages	ALUMINUMELECTROLYTICCAPACITORS	nichiconNichicon corporation 尼吉康日本尼吉康株式会社	nichicon
MCH6122	文件：245.12 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterAmplifier DC/DCConverterAmplifier Features •AdoptionofMBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Highspeedswitching •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.85mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogemf	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6122	文件：519.919 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor-30V,-3A,LowVCE(sat),PNPSingleMCPH6 Features •AdoptionofMBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Highspeedswitching •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.85mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogemfreecompliance Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6122-TL-E	文件：519.919 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor-30V,-3A,LowVCE(sat),PNPSingleMCPH6 Features •AdoptionofMBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Highspeedswitching •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.85mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogemfreecompliance Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6122-TL-H	文件：519.919 Kbytes Page：6 Pages	BipolarTransistor-30V,-3A,LowVCE(sat),PNPSingleMCPH6 Features •AdoptionofMBITprocess •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •Highspeedswitching •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.85mm) •Highallowablepowerdissipation •Halogemfreecompliance Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MSS6122	文件：184.82 Kbytes Page：4 Pages	SMTPowerInductors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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