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MS5313	文件：97.85 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYCURRENTREGULATORDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUN5313DW	文件：2.64229 Mbytes Page：32 Pages	DUALBIASRESISTORTRANSISTORNPN&PNPWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK DESCRIPTION TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingle transistorwithamonolithicbiasnetworkconsisting oftworesistors;aseriesbaseresistoranda baseemitterresistor.Thesedigitaltransistorsare designedtoreplaceasingledeviceanditsexternal resistorbiasnetwor	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MUN5313DW	文件：1.49667 Mbytes Page：29 Pages	DualBiasResistorTransistors	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MUN5313DW	文件：1.4905 Mbytes Page：29 Pages	DualBiasResistorTransistorNPNPNPSilicon DualBiasResistorTransistor NPN+PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MV5313	文件：97.85 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYCURRENTREGULATORDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MX5313	文件：97.85 Kbytes Page：2 Pages	HIGHRELIABILITYCURRENTREGULATORDIODES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NTE5313	文件：20.96 Kbytes Page：2 Pages	SinglePhaseBridgeRectifier8Amp Features: ●LowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRating:200A(Peak) ●MountingHoleThrufor#6Screw	NTE NTE Electronics	NTE
NX5313	文件：220.25 Kbytes Page：9 Pages	1310nmFORFTTHPONAPPLICATIONInGaAsPMQW-FPLASERDIODE DESCRIPTION TheNX5313Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredFabry-Perot(FP)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.Thesedevicesaredesignedforapplicationupto1.25Gb/s. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=13.0mW •Lowthresholdcurrentlth=6mA •Differentia	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX5313	文件：162.37 Kbytes Page：4 Pages	1310nmInGaAsPMQWFPLASERDIODEINCANPACKAGEFORFTTHPONAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX5313EH	文件：162.37 Kbytes Page：4 Pages	1310nmInGaAsPMQWFPLASERDIODEINCANPACKAGEFORFTTHPONAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	CS5315E	N/A	23+		80000	专注配单,只做原装进口现货	询价
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