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FDN338P	文件：1.91559 Mbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET VDS=-20V RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-1.6A=115mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-1.3A=155mΩ Features Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
FDN338P	文件：1.7249 Mbytes Page：3 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET Application ●Load/PowerSwitching ●InterfacingSwitching ●LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
FDN338P	文件：601.84 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN338P	文件：572.58 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDN338P-NL	文件：1.039819 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FK338	文件：80.84 Kbytes Page：1 Pages	HCMOS3.3V32.768kHzSMDOscillator	FOX Fox Electronics	FOX
FRW338	文件：290.13 Kbytes Page：5 Pages	SAWResonator-RemoteControl	TEMEX temex	TEMEX
GBC338	文件：186.57 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR Description TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers. Features •HighDCCurrentGain:100~630@VCE=1V,IC=100mA •ComplementarytoGBC328	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GBC338	文件：189.07 Kbytes Page：3 Pages	TheGBC338isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GHI-ALFATSD-338	文件：95.42 Kbytes Page：1 Pages	ALFATSDBoard	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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产品属性

产品编号：
CS338
制造商：
Coto Technology
类别：
继电器 > 固态继电器
系列：
COTOMOS™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
电路：
SPST-NO（1 Form A）x 2
输出类型：
AC，DC
电压 - 输入：
1.37VDC
端接样式：
鸥翼
封装/外壳：
8-SMD（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-SMD
描述：
SSR RELAY SPST-NO 70MA 0-600V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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