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CS260N60	文件：448.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET GeneralDescription： CS2N60FA9H,thesiliconN-channelEnhanced VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology whichreducetheconductionloss,improveswitching performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistorcan beusedinvariouspowerswitchingcircuitforsys	HUAJING-MICROHUAJING MICROELECTRONICS 华润微电子华润微电子有限公司	HUAJING-MICRO
FCP260N60E	文件：283.1 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET®IIis,Fairchild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,pro	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP260N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCP260N60E	文件：332.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF260N60E	文件：322.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FCPF260N60E	文件：283.1 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET®IIis,Fairchild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,pro	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCPF260N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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