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CS1D-E3/H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AC，SMA；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
RGF1D-E3	文件：77.73 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Idealforautomatedplacement •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 250°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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CS1D-E3/H

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Package：DO-214AC，SMA；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

RGF1D-E3

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SurfaceMountGlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier

FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Idealforautomatedplacement •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 250°C •AEC-Q101qualifiedavailable -

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Vishay

产品属性

产品编号：
CS1D-E3/H
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
6pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AC，SMA
供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CS1D-E3/H供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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