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CS120N06C8中文资料华润微电子数据手册PDF规格书

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厂商型号

CS120N06C8

功能描述

Silicon N-Channel Power MOSFET

文件大小

378.51 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

CRMICRO

中文名称

华润微电子

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 11:10:00

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CS120N06C8规格书详情

General Description:

CS120N06 C8, the silicon N-channel Enhanced

VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology

which reduce the conduction loss, improve switching

performance and enhance the avalanche energy. The transistor

can be used in various power switching circuit for system

miniaturization and higher efficiency. The package form is

TO-220AB, which accords with the RoHS standard.

Features:

l Fast Switching

l Low ON Resistance(Rdson≤6.5mΩ)

l Low Gate Charge

l Low Reverse transfer capacitances(Typical:217pF)

l 100% Single Pulse avalanche energy Test

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