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CS100N03A4-G	文件：858.46 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS100N03 A4-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applicatio 文件：858.46 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
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更多CS100N03A4供应商更新时间2025-12-11 9:05:00