CQY80N中文资料威世数据手册PDF规格书
CQY80N规格书详情
描述 Description
The CQY80N(G) series consist of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode in a 6-lead plastic dual inline package. The elements are mounted on one leadframe using a coplanar technique, providing a fixed distance between input and output for highest safety requirements.
Applications
Circuits for safe protective separation against electrical shock according to safety class II (reinforced isolation):
● For appl. class I – IV at mains voltage ≤ 300 V
● For appl. class I – III at mains voltage ≤ 600 V according to VDE 0884, table 2, suitable for:
Switch-mode power supplies, line receiver, computer peripheral interface, microprocessor system interface.
产品属性
- 型号：
CQY80N
- 功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >50%
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 输入类型：
DC
- 最大集电极/发射极电压：
70 V
- 最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
- 绝缘电压：
5300 Vrms
- 电流传递比：
100 % to 200 %
- 最大正向二极管电压：
1.65 V
- 最大输入二极管电流：
60 mA
- 最大集电极电流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作温度：
+ 110 C
- 最小工作温度：
- 55 C
- 封装/箱体：
DIP-4
- 封装：
Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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