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CPV364M4KPBF	文件：304.52 Kbytes Page：10 Pages	IGBT SIP MODULE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CPV364M4KPBF	文件：269.83 Kbytes Page：11 Pages	CPV364M4KPBF (Short Circuit Rated Ultrafast IGBT)	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
CPV364M4F	文件：245.96 Kbytes Page：10 Pages	IGBTSIPMODULE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CPV364M4K	文件：283.76 Kbytes Page：10 Pages	IGBTSIPMODULE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CPV364M4U	文件：273.49 Kbytes Page：10 Pages	IGBTSIPMODULE Description TheIGBTtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)PowerModules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpow	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
CPV364M4UPBF	文件：280.27 Kbytes Page：11 Pages	IGBTSIPModule(UltrafastIGBT) DESCRIPTION TheIGBTtechnologyisthekeytoVishay’sHPPadvancedlineofIMS(InsulatedMetalSubstrate)powermodules.Thesemodulesaremoreefficientthancomparablebipolartransistormodules,whileatthesametimehavingthesimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.T	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-CPV364M4FPBF	文件：237.06 Kbytes Page：9 Pages	IGBTSIPModule(FastIGBT) FEATURES •Fullyisolatedprintedcircuitboardmount package •Switching-lossratingincludesall“tail”losses •HEXFRED®softultrafastdiodes •Optimizedformediumspeed,seefig.1for currentvs.frequencycurve •Designedandqualifiedforindustriallevel •ULapprovedfileE78996	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-CPV364M4KPBF	文件：252.56 Kbytes Page：11 Pages	IGBTSIPModule(ShortCircuitRatedUltrafastIGBT)	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VS-CPV364M4UPBF	文件：237.06 Kbytes Page：9 Pages	IGBTSIPModule(FastIGBT) FEATURES •Fullyisolatedprintedcircuitboardmount package •Switching-lossratingincludesall“tail”losses •HEXFRED®softultrafastdiodes •Optimizedformediumspeed,seefig.1for currentvs.frequencycurve •Designedandqualifiedforindustriallevel •ULapprovedfileE78996	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
CPV364M4KPBF
功能描述：
IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2
RoHS：
是
类别：
半导体模块 >> IGBT
系列：
-
标准包装：
10
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT
配置：
单一电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
600V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
1.4V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
430A 电流 -
集电极截止（最大）：
100µA Vce
时的输入电容(Cies)：
31nF @ 25V 功率 -
最大：
1000W
输入：
标准 NTC
热敏电阻：
无
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装：
SOT-227B

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