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CPM2-1200-0080B中文资料2nd-Generation Z-FET®1200-V, 80-mΩ, Silicon-Carbide MOSFET Bare Die数据手册Wolfspeed(CREE)规格书
| 厂商型号 |
CPM2-1200-0080B |
| 参数属性 | CPM2-1200-0080B 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET NCH 1200V 36A DIE |
| 功能描述 | 2nd-Generation Z-FET®1200-V, 80-mΩ, Silicon-Carbide MOSFET Bare Die |
| 制造商 | Wolfspeed(CREE) WOLFSPEED, INC. |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 20:14:00 |
| 人工找货 | CPM2-1200-0080B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CPM2-1200-0080B规格书详情
特性 Features
·High-speed switching with low capacitances
·High blocking voltage with low RDS(on)
·Avalanche ruggedness
·Resistant to latch-up
·Easy to parallel and simple to drive
简介
CPM2-1200-0080B属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由Wolfspeed(CREE)制造生产的CPM2-1200-0080B晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：CPM2-1200-0080B
- 生产厂家
：Wolfspeed(CREE)
- Die Size
：3.10 x 3.36 mm
- Current Rating at 25°C
：36 A
- Rds(on) at 25°C
：80 mΩ
- Package
：Bare Die
- Gate charge total
：49 nC
- Maximum junction temperature
：150 °C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PIONEER |
25+ |
SMD |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
PIONEER |
25+ |
QFN |
5000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
PIONEER |
24+ |
NA/ |
5000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
PIONEER |
24+ |
SMD |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
PIONEER |
23+ |
SMD |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
PIONEER |
2016+ |
QFN |
40000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
CREE |
24+ |
36A DIE |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
PIONEER |
23+ |
SMD |
86541 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
CREE |
21+ |
36A DIE |
337 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
PIONEER |
25+23+ |
SMD |
29636 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 |
