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NCP6354BMTAATBG	文件：243.5 Kbytes Page：15 Pages	3MHz,2AFixed-FrequencySynchronousBuckConverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV6354	文件：244.69 Kbytes Page：15 Pages	3MHz,2AFixed-Frequency,SynchronousBuckConverter	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTE6354	文件：25.33 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,300Amp Features: ●DiffusedDiode ●HighVoltageRatingsupto1600Volts ●HighSurgeCurrentCapabilities ●AvailableinAnode–to–CaseorCathode–to–CaseStyle	NTE NTE Electronics	NTE
R6354	文件：233.73 Kbytes Page：8 Pages	13mmDia.SIDE-ONCOMPACTTYPEPHOTOMULTIPLIERTUBE	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
R6354	文件：81.89 Kbytes Page：6 Pages	NEWCOMPACTTYPEPMTSERIES 13mm(1/2Inch)Diameter,9-stage,Side-onType TheR6350toR6358seriesarecompactside-onphotomultipliertubeswitha13mmdiameterand50mmheight.Usingdifferentphotocathodeandwindowmaterialcombinationshelpedtoproduceafullproductlineuptocoverawidespectralresponserang	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

详细参数

型号：
CPH6354-TL-H
功能描述：
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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