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ESDB3V3C	文件：192.38 Kbytes Page：2 Pages	ESDProtectionDiodesinSMD	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ESDBK3V3	文件：172.21 Kbytes Page：2 Pages	ESDProtectionDiodesinSMD	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ESDLC3V3LB	文件：2.9356 Mbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONALTVSDIODE Features Protectsonedataline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Ultralowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-5(Lightning)8A(8/20μs) RoHSCompliant App	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
ESDSLC3V3	文件：566.8 Kbytes Page：3 Pages	UltraLowCapacitanceESDTVSArray Features ■35Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) ■SOT-23package ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance ■ESDProtectionforhigh-speeddatalinesto: IEC61000-4-2±30KVcontact±30KVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)3.5A(8/2	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
ESDSUC3V3BS	文件：1.42438 Mbytes Page：3 Pages	UltraLowCapacitanceESD Features ■μs) ■ ■ ■R2R+Zenertechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance(Cj=0.3pFtyp.) ■Protectiononedata/powerlineto: IEC61000-4-2±10kVcontact±18kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)3A(8/20μs) ■RoHScomp	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FBU3V3DS	文件：731.77 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes DESCRIPTION DesignedtoprotectvoltagesensitiveelectroniccomponentsfromESDandothertransients. Excellentclampingcapability,lowleakage,lowcapacitance,andfastresponsetime providebestinclassprotectionondesignsthatareexposedtoESD. Thecombinationofsmallsize,lowcap	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FESD3V3A	文件：576.35 Kbytes Page：1 Pages	ChipTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FESD3V3B	文件：546.43 Kbytes Page：3 Pages	LowcapacitanceESDprotection	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FLZ3V3	文件：625.71 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FLZ3V3A	文件：625.71 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
CPDZD3V3HE-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
3.8V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
10V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
8A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
80W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
10pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
0201/DFN0603
描述：
DIODE ESD 3.3VWM 80W DFN0603-2L

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