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ESDLC5V0APB	文件：517.63 Kbytes Page：3 Pages	ESDProtectionDiode	YINTShanghai Yint Electronic Co., Ltd 音特电子上海音特电子有限公司	YINT
ESDLC5V0LPB	文件：320.66 Kbytes Page：3 Pages	5VLowCapacitanceESDProtectionDevice	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ESDSBL5V0LTB-TP	文件：1.35298 Mbytes Page：4 Pages	Bi-directionalTVSDiode Features\| Ultrasmallpackage:1.0x0.6x0.5mm\| Verylowcapacitance:15pFtypical Ultralowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:+5V Lowclampingvoltage 3-pinleadlesspackage Upto2-lineprotects Complieswithfollowingstandards: ~IEC61000-4-2(ESD)immunitytest~~ Airdischa	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
ESDSLC5V0LB	文件：618.23 Kbytes Page：4 Pages	Lowclampingvoltage	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ESDSLC5V0LTB-TP	文件：1.38838 Mbytes Page：4 Pages	2-LineUltraLowCapacitanceTVSDiode Features Uitrasmalpackage:1.0x0.6x0.5mm Ultralowcapacitance:0.3pFtypical(1/0-1/0) Ultralowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:5V Lowclampingvoltage 3-pinleadlesspackage Upto2-ineprotects Complieswithfollowingstandards: ~IEC610004-2(ESD)immunitytest Ardischa	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
ESDSLC5V0M	文件：645.41 Kbytes Page：3 Pages	Unidirectionalconfigurations Features ■SOT-723package ■Unidirectionalconfigurations ■R2R+Zenertechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance(Cj=0.3pFtyp.) ■Protectiondata/powerlineto: IEC61000-4-2±10kVcontact±18kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
ESDSUC5V0	文件：219.71 Kbytes Page：3 Pages	UltraLowCapacitanceTVSDiode Features ■60Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) ■Snap-Backtechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance(0.30pFtypical) ■ESDProtectionforhigh-speeddatalinesto: IEC61000-4-2±16KVcontact±20KVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FBLC5V0AP	文件：209.3 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes DESCRIPTION DesignedtoprotectvoltagesensitiveelectroniccomponentsfromESDandothertransients. Excellentclampingcapability,lowleakage,lowcapacitance, andfastresponsetimeprovidebestinclassprotectionondesignsthatareexposedtoESD. Thecombinationofsmallsize,lowcap	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
PESD5V0HS-SF	文件：220.52 Kbytes Page：12 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalESDprotectiondiode 1.Generaldescription UltralowcapacitancebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaDSN0603-2 (SOD962-2)leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)packagedesignedtoprotectone signallinefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresand	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PJT5V0BQG	文件：49.28 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEBI-DIRECTIONALTVSARRAYFORESDPROTECTION	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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