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CPDUR5V0U-HF	文件：108.82 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDURT5V0C-HF	文件：91.7 Kbytes Page：4 Pages	LowProfileSMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Bi-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -Extremelythin/leadlesspackage. -Lowprofilepackageis30thinnerthanstandards0603 -Operatingvoltage:5V. Mechanicaldata -Case:0603/SOD-523Fstandardpackage,moldedplastic. -Term	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDURT5V0H-HF	文件：106.37 Kbytes Page：4 Pages	LowProfileSMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Bi-directionalESDprotection -IEC61000-4-5(surge);IPP=7A -IEC61000-4-2(ESD);±30KV(contact) -Lowprofilepackageis30thinnerthanstandards0603 -Lowclampingvoltage -Lowleakagecurrent Mechanicaldata -Case:0603/SOD-523Fstandardpa	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV5V0A-HF	文件：470.91 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Peakpowerdissipation:400W(8/20μs). -Workingvoltages:5V. -Lowleakagecurrent. -Lowcapacitance. -ProtectsonedirectionalI/Oline. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns).	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV5V0B-HF	文件：502.52 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode -Lowcapacitance:0.25pF(typical). -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. Features IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -Transientprotectionforhigh-speeddatalines Cabledischargeevent(CDE) -Protectsonedata,controlline. -Ult	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV5V0-HF	文件：474.55 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -IEC61000-4-5(Lightning)12A(8/20μs). -Workingvoltages:3V~24V. -Lowleakagecurrent. -Responsetimeis	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV5V0SP-HF	文件：294.29 Kbytes Page：5 Pages	LowCapacitanceSMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -ProtectsoneBi-directionalI/Oline -WorkingVoltage:3V,3.3V,5V,8V,12V,15V,24V -Lowclampingvoltage -IEC61000-4-2Level4ESDProtection. -IEC61000-4-4Level4FETprotection. -IEC61000-4-5(Lightning)rating.12A(8/20µS) Mechanicaldata -Cas	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDVR5V0-HF	文件：109.37 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDVR5V0-HF	文件：2.00319 Mbytes Page：4 Pages	1-LineBi-directionalTVSDiode Features Ultrasmallpackage:1.0x0.6x0.5mm Ultralowcapacitance:15pFtypicalUltralowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:5V Lowclampingvoltage 2-pinleadlesspackage Complieswithfollowingstandards: IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±3	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
CPDVR5V0P-HF	文件：119.37 Kbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceSMDESDProtectionDiode Features -Lowcapacitance. -IEC61000-4-2Level4ESDProtection. -Fastresponsetime. -LowLeakagecurrent. -Lowreverseclampingvoltage. -Bi-directionalESDprotectionofoneline.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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产品属性

产品编号：
CPDT-5V0USP-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
19V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
4A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
76W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
0.6pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TVS DIODE 5VWM 19VC SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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