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CPDT-3V3UB-HF	文件：495.93 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Workingvoltages:3.3V~36V -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns). -Protectsonebidirectionallineortwo unidirectionallines. -350Wpeakpulsepowerper(tp=8/20μs).	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDU3V3UP	文件：194.54 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features IEC61000-4-2(ESD)±15kV(Contact),±20kV(Air). Workingvoltage:3.3V Lowleakagecurrent. Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata Case:0603(1608)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. Mou	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDU3V3UP-HF	文件：96.22 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDU3V3UP-HF	文件：96.22 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Workingvoltage:3.3V -Lowleakagecurrent. -Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata -Case:0603/SOD-523Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. -Markingcode:E3V3 -Mountin	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDUR3V3-HF	文件：95.41 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Bi-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -Lowleakagecurrent. -Highcomponentdensity. Mechanicaldata -Case:0603/SOD-523Fstandardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. -Mountin	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV3V3A-HF	文件：502.85 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Lowcapacitance:0.25pF(typical). -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -Transientprotectionforhigh-speeddatalines Cabledischargeevent(CDE) -Protectsonedata,controlline. -Ult	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV3V3-HF	文件：470.73 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Peakpowerdissipation:400W(8/20μs). -Workingvoltages:3.3V. -Lowleakagecurrent. -Lowcapacitance. -ProtectsonedirectionalI/Oline. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns).	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV3V3SP-HF	文件：294.29 Kbytes Page：5 Pages	LowCapacitanceSMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -ProtectsoneBi-directionalI/Oline -WorkingVoltage:3V,3.3V,5V,8V,12V,15V,24V -Lowclampingvoltage -IEC61000-4-2Level4ESDProtection. -IEC61000-4-4Level4FETprotection. -IEC61000-4-5(Lightning)rating.12A(8/20µS) Mechanicaldata -Cas	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV3V3UA-HF	文件：463.47 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Uni-directionalESDprotectiondiode. -HighESDprotectionlevel. -Workingvoltage:3.3V. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDZ3V3U-HF	文件：334.45 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Uni-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage. -Highcomponentdensity. -Lowclampingvoltage. -Lowleakage. Mechanicaldata -Case:0201/DFN0603package,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableper	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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产品属性

产品编号：
CPDQR3V3R-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
带盒（TB）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
18V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
36W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
18pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0402（1006 公制）
供应商器件封装：
0402C/SOD-923F
描述：
DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	CPDQR3V3R-HF	COMCHIP/典琦科技	2019+PB	0402SOD-923F	92000	原装正品可含税交易	询价
深圳诚思涵科技有限公司	CPDQR3V3R-HF	Comchip	19+	0402SOD-923F	200000		询价
深圳兆威电子有限公司	CPDQR3V3R-HF	COMCHIP/典琦科技	23+	0402	90000	一定原装现货	询价
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