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CPDV3V3-HF	文件：470.73 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Peakpowerdissipation:400W(8/20μs). -Workingvoltages:3.3V. -Lowleakagecurrent. -Lowcapacitance. -ProtectsonedirectionalI/Oline. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns).	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV3V3SP-HF	文件：294.29 Kbytes Page：5 Pages	LowCapacitanceSMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -ProtectsoneBi-directionalI/Oline -WorkingVoltage:3V,3.3V,5V,8V,12V,15V,24V -Lowclampingvoltage -IEC61000-4-2Level4ESDProtection. -IEC61000-4-4Level4FETprotection. -IEC61000-4-5(Lightning)rating.12A(8/20µS) Mechanicaldata -Cas	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDV3V3UA-HF	文件：463.47 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Uni-directionalESDprotectiondiode. -HighESDprotectionlevel. -Workingvoltage:3.3V. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDZ3V3U-HF	文件：334.45 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Uni-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage. -Highcomponentdensity. -Lowclampingvoltage. -Lowleakage. Mechanicaldata -Case:0201/DFN0603package,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableper	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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CPDZC3V3A-HF	文件：481.77 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Bi-directionalESDprotection. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent. -IEC61000-4-2(ESD);±20KV(contact) -IEC61000-4-5(surge);Ipp=4A -UltrasmallSMDpackage.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDZC3V3AU-HF	文件：478.48 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Uni-directionalESDprotection. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent. -IEC61000-4-2(ESD);±20KV(contact) -IEC61000-4-5(surge);Ipp=4A	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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