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CPDQR3V3R-HF	文件：95.87 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQR3V3R-HF	文件：95.87 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Bi-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage:0402. -Highcomponentdensity. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. -MarkingCode:E3 -Mounti	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQR3V3U-HF	文件：337.2 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Uni-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage:0402. -Highcomponentdensity. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQR3V3U-HF	文件：337.2 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQT3V3HE-HF	文件：469.08 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Lowcapacitance:10pF(typ.). -Reversestandoffvoltage:3.3V -IEC61000-4-2(ESDair):±30kV IEC61000-4-2(ESDcontact):±30kV	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQT3V3U-HF	文件：559.16 Kbytes Page：3 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQT3V3U-HF	文件：559.16 Kbytes Page：3 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDprotection. -ESDRatingofClass3perHumanBodyMode. -LowLeakage -ResponseTimeisTypically Mechanicaldata -Case:0402/SOD-882smalloutlineplasticpackage. -Terminals:Mattetinplated,solderableperMIL-STD-750,	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDT-3V3UA-HF	文件：467.29 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Uni-directionalESDprotectiondiode. -HighESDprotectionlevel. -Workingvoltage:3.3V. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDT-3V3UB-HF	文件：495.93 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Workingvoltages:3.3V~36V -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns). -Protectsonebidirectionallineortwo unidirectionallines. -350Wpeakpulsepowerper(tp=8/20μs).	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDU3V3UP	文件：194.54 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features IEC61000-4-2(ESD)±15kV(Contact),±20kV(Air). Workingvoltage:3.3V Lowleakagecurrent. Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata Case:0603(1608)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. Mou	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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产品属性

产品编号：
CPDQC3V3C-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
3.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
13V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
5A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
65W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
6pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0402（1006 公制）
供应商器件封装：
0402C/SOD-923F
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 13VC 0402C

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更多CPDQC3V3C-HF供应商更新时间2025-7-17 10:12:00

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