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CPDQR3V3R-HF	文件：95.87 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQR3V3R-HF	文件：95.87 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Bi-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage:0402. -Highcomponentdensity. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. -MarkingCode:E3 -Mounti	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQR3V3U-HF	文件：337.2 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -Uni-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage:0402. -Highcomponentdensity. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923standardpackage,moldedplastic. -Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQR3V3U-HF	文件：337.2 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQT3V3HE-HF	文件：469.08 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Lowcapacitance:10pF(typ.). -Reversestandoffvoltage:3.3V -IEC61000-4-2(ESDair):±30kV IEC61000-4-2(ESDcontact):±30kV	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQT3V3U-HF	文件：559.16 Kbytes Page：3 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQT3V3U-HF	文件：559.16 Kbytes Page：3 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDprotection. -ESDRatingofClass3perHumanBodyMode. -LowLeakage -ResponseTimeisTypically Mechanicaldata -Case:0402/SOD-882smalloutlineplasticpackage. -Terminals:Mattetinplated,solderableperMIL-STD-750,	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDT-3V3UA-HF	文件：467.29 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Uni-directionalESDprotectiondiode. -HighESDprotectionlevel. -Workingvoltage:3.3V. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDT-3V3UB-HF	文件：495.93 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features -Workingvoltages:3.3V~36V -Lowleakagecurrent. -Lowclampingvoltage. -IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact). -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns). -Protectsonebidirectionallineortwo unidirectionallines. -350Wpeakpulsepowerper(tp=8/20μs).	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDU3V3UP	文件：194.54 Kbytes Page：4 Pages	SMDESDProtectionDiode Features IEC61000-4-2(ESD)±15kV(Contact),±20kV(Air). Workingvoltage:3.3V Lowleakagecurrent. Lowoperatingandclampingvoltages. Mechanicaldata Case:0603(1608)standardpackage,moldedplastic. Terminals:Goldplated,solderableperMIL-STD-750,method2026. Mou	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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