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CPD109R

Low VF Schottky Diode Chip

PROCESS DETAILS Die Size 8.3 x 8.3 MILS Die Thickness 3.9 MILS Anode Bonding Pad Area 5.4 x 5.4 MILS Top Side Metalization Al - 20,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å

文件:626.79 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CPD109R

Low VF Schottky Diode Chip

Central

CR109

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes 页数:6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

CS109

SlimStyle Bulb Exceeds Expectations

文件:1.50602 Mbytes 页数:3 Pages

LUMILEDS

CTSPW-109

Power Transformers - Low Profile

文件:209.2 Kbytes 页数:1 Pages

CT

Central Technologies

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更多CPD109R供应商 更新时间2025-10-8 11:06:00