CP767V分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CP767V |
| 参数属性 | CP767V 封装/外壳为模具；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANSISTOR |
| 功能描述 | Small Signal Transistor PNP - Low Noise Amplifier Transistor Chip |
| 文件大小 |
396.16 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Central Semiconductor Corp |
| 企业简称 |
Central |
| 中文名称 | 美国中央半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-18 13:00:00 |
CP767V规格书详情
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 30 x 30 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 3.9 x 4.2 MILS
Emitter Bonding Pad Area 7.4 x 3.8 MILS
Top Side Metalization Al - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 18,000Å
CP767V属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。美国中央半导体制造生产的CP767V晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
CP767V-2N3467-CT
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 1A，5V
- 频率 - 跃迁：
175MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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