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CP307分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	CP307
参数属性	CP307 封装/外壳为模具；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE
功能描述	Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE
文件大小	212.45 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	Central Semiconductor Corp
企业简称	Central
中文名称	美国中央半导体官网
原厂标识
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2024-5-23 19:04:00

CP307规格书详情

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 27 x 27 MILS

Die Thickness 9.0 MILS

Base Bonding Pad Area 5.3 x 3.8 MILS

Emitter Bonding Pad Area 5.3 x 6.5 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Au - 18,000Å

CP307属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。美国中央半导体制造生产的CP307晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

产品属性

产品编号：
CP307-2N5308-CT
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 200µA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
60MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE

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