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CP302中文资料Small Signal Transistor NPN - Silicon RF Transistor Chip数据手册Central规格书

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厂商型号	CP302
参数属性	CP302 封装/外壳为模具；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPNUHF/VHF
功能描述	Small Signal Transistor NPN - Silicon RF Transistor Chip RF TRANS NPNUHF/VHF
封装外壳	模具
制造商	Central Central Semiconductor Corp
中文名称	美国中央半导体
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-22 16:28:00
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CP302规格书详情

简介

CP302属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的CP302晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

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产品编号：
CP302-MPSH10-CT
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
功率 - 最大值：
350mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
RF TRANS NPNUHF/VHF

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