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CP191分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	CP191
参数属性	CP191 封装/外壳为模具；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCS
功能描述	Small Signal Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCS
封装外壳	模具
文件大小	206.64 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	CENTRAL
中文名称	美国中央半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-1-24 22:58:00
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CP191规格书详情

CP191属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美国中央半导体制造生产的CP191晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 16.5 x 16.5 MILS

Die Thickness 9.0 MILS

Base Bonding Pad Area 3.5 x 4.3 MILS

Emitter Bonding Pad Area 3.5 x 4.3 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000Å

Back Side Metalization Au - 18,000Å

产品属性

产品编号：
CP191V-2N2222A-CT20
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
TRANS NPN 40V 0.8A DIE 1=20PCS

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