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CP101-BSS52数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

CP101-BSS52

参数属性

CP101-BSS52 封装/外壳为模具;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 1A DIE

功能描述

Chip Form: Small Signal Darlington
TRANS NPN DARL 80V 1A DIE

封装外壳

模具

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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CP101-BSS52规格书详情

简介

CP101-BSS52属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的CP101-BSS52晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CP101-BSS52

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :Chip_Packaging

  • Configuration/ Description

    :Bare die 27.500 X 27.500

  • Polarity

    :NPN

  • IC MAX

    :1A

  • PD MAX

    :800mW

  • VCEO MAX

    :-

  • VCES MAX

    :-

  • hFE MIN

    :1000

  • hFE MAX

    :-

  • @VCE

    :10V

  • VCE(SAT) MAX

    :1.3V

  • @IC

    :500mA

  • @IB

    :500μA

  • Cob TYP

    :-

  • Cob MAX

    :-

  • fT TYP

    :-

  • fT MIN

    :-

  • NF MAX

    :-

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