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CMUDW6001	文件：546.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTULTRALOWLEAKAGESILICONSWITCHINGDIODE 75V,250mAUltraLowLeakageSwitchingDiodeintheSOT-523Wpackage CentralSemiconductor’sCMUDW6001isa75V,250mAultralowleakagediodepackagedintheSOT-523Wsurfacemountcase.TheSOT-523Wwasdesignedwithgull-wingleadsasanalternativetotheflatleadsoftheSOT-523package.Th	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUDW6001	文件：1.78737 Mbytes Page：2 Pages	75V,250mAUltraLowLeakageSwitchingDiodeintheSOT-523Wpackage	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMXD6001	文件：114.4 Kbytes Page：2 Pages	SUPERmini.TRIPLEISOLATEDSURFACEMOUNTLOWLEAKAGESWITCHINGDIODE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMXD6001typecontainsthree(3)IsolatedSiliconSwitchingDiodes,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinaSUPERmini™surfacemountpackage,designedforswitchingapplicationsrequiringextremelylowleakage.MarkingcodeisX01.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPH6001	文件：47.23 Kbytes Page：6 Pages	High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz). •Highcutofffrequency:fT=6.7GHztyp. •Smallandslim6-pinpackage. •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A	文件：58.13 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH6001A	文件：495.65 Kbytes Page：8 Pages	High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A-TL-E	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CTS6001	文件：67.93 Kbytes Page：3 Pages	InGaP/GaAsRFICAMPLIFIER	TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated 华特力科	TELEDYNE
D6001N	文件：269.23 Kbytes Page：8 Pages	RectifierDiode RectifierDiode	eupec eupec GmbH	eupec

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