CMS79F536中文资料增强型闪存8位CMOS单片机数据手册Cmsemicon规格书
CMS79F536规格书详情
描述 Description
方案集成度高,对比传统方案有效节省外围BOM安全全面的IGBT保护 • 电压,电流双浪涌检测更好保护IGBT • 双过压侦测,一级降功率,一级关闭PPG • IGBT导通台阶实时侦测,降低IGBT损耗 • 采用8BIT DAC提供比较器基准电压,控制精细 • 连续过压,周期过压检测,IGBT保护更加全面易过各项测试认证 • 内置硬件抖频功能,减少对外辐射 • 内置硬件CRC模块,可用于软件认证与通信检验内置多级参考电压可用于校验ADC模块,便于过软件认证。
特性 Features
• 电磁加热SOC
• 工作温度:-40℃ - 85℃
• 3路定时中断,比较器中断,PPG中断,其他外设中断
• 3路PWM
• 3路PWM
• 高精度12位ADC(可选自动触发,自动求和)
• 内置8路COMP
• 内置WDT功能
• 8级堆栈缓存
• 封装类型:SOP16、SOP20
技术参数
- 制造商编号
:CMS79F536
- 生产厂家
:Cmsemicon
- 主频(MHz)
:32
- 内核
:RISC
- 工作温度 (℃)
:-40~85
- 电压 (V)
:3.0~5.5
- Memory Type
:MTP
- ROM
:8K*16
- RAM
:336B
- EEPROM
:128
- GPIO
:17
- Timer
:3
- UART
:1
- I²C
:1
- PWM/EPWM
:3
- SAR-ADC-unit
:1
- SAR-ADC-bit
:12
- SAR-ADC-ch
:17
- DAC-unit
:3
- DAC-bit
:8
- OPA
:1
- COMP
:8
- PGA
:1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
中微半导体 |
21+ |
32 |
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询价 | |||
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中微 |
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CMSEMICON/中微 |
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