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CMS79F123中文资料增强型闪存8位CMOS单片机数据手册Cmsemicon规格书

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厂商型号

CMS79F123

功能描述

增强型闪存8位CMOS单片机

制造商

Cmsemicon Shenzhen China Micro Semicon Co.,Ltd.

中文名称

中微半导体 中微半导体(深圳)股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-8 16:38:00

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CMS79F123规格书详情

描述 Description

CMS79F123内置2个8位定时器和1个16位定时器、5路带互补输出PWM模块;内置2路高精度运放,失调电压<2mV,可作为比较器使用;提供13路12位高精度ADC,内建高精度1.2V基准电压,内部参考源可选2V/2.4V; 内置24bit/12bit硬件除法器模块、8种电压LVD模块;具有休眠唤醒、低电压侦测复位等功能。提供SOP16封装。

特性 Features

• 8位RISC内核
• ROM:4Kx16
• 通用RAM:344x8
• 工作电压范围:
2.6V - 5.5V@16MHz
1.8V - 5.5V@8MHz
• 工作温度范围: -40℃ - 85℃
• 8级堆栈缓存器
• 简洁实用的指令系统(68条指令)
• 查表功能
• 内置WDT定时器
• 内置低压侦测电路
• 中断源
• 3个定时中断
• RA口电平变化中断
• RB口电平变化中断
• 其它外设中断
• 定时器
• 8位定时器TIMER0、TIMER2
• 16位定时器TIMER1
• 内置硬件除法器模块
• 24位被除数/12位除数
• 内置1路USART通信模块
• 支持同步主从模式和异步全双工模式
• 可配置在RB4/RB5或RA6/RA7
• 内置128字节程序EEPROM
• 可重复烧写1万次
• 带互补输出的PWM模块(最大支持5路PWM)
• 2路运算放大器
• 失调电压<2mV
• 可作为比较器使用
• 高精度12位ADC
• 内建高精度1.2V基准电压
• ±1.5% @VDD=2.5V~5.5V TA=25℃
• ±2% @VDD=2.5V~5.5V TA=-40℃~85℃
• 内置LVD模块
• 支持多种电压可选
• 2.2V/2.4V/2.7V/3.0V/3.3V/3.7V/4.0V/4.3V
• 封装类型:SOP16

技术参数

  • 制造商编号

    :CMS79F123

  • 生产厂家

    :Cmsemicon

  • 主频(MHz)

    :16

  • 内核

    :RISC

  • 工作温度 (℃)

    :-40~85

  • 电压 (V)

    :1.8~5.5

  • Memory Type

    :FLASH

  • ROM

    :4K×16

  • RAM

    :344B

  • Data Flash

    :/

  • EEPROM

    :128

  • GPIO

    :14

  • DMA

    :/

  • Timer

    :2x8

  • LSE

    :/

  • WDT/WWDT

    :/

  • RTC

    :/

  • UART

    :1

  • I²C

    :/

  • SPI

    :/

  • CAN

    :/

  • LIN

    :/

  • PWM/EPWM

    :5

  • SAR-ADC-unit

    :1

  • SAR-ADC-bit

    :12

  • SAR-ADC-ch

    :13

  • SAR-ADC-speed(Msps)

    :/

  • DAC-unit

    :/

  • DAC-bit

    :/

  • OPA

    :1

  • COMP

    :/

  • PGA

    :/

  • LCD

    :/

  • LED

    :/

  • Touch

    :/

  • Encryption

    :/

  • Other Interface

    :/

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