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GC4212	文件：140.09 Kbytes Page：4 Pages	TMCONTROLDEVICES-HIGHSPEEDPINDIODES DESCRIPTION TheGC4200seriesarehighspeed(cathodebase)PINdiodesmadewithhighresistivityepitaxialsiliconmaterial.Thesediodesarepassivatedwithsilicondioxideforhighstabilityandreliabilityandhavebeenprovenbythousandsofdevicehoursinhighreliabilitysystems. APPLICA	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
GMP4212	文件：133.53 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountPIN&LimiterDiodes	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HO-NP-4212	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HO-P-4212	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
IIRFB4212	文件：338.12 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB4212	文件：338.12 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFB4212	文件：832.03 Kbytes Page：7 Pages	KeyparametersoptimizedforClass-Daudioamplifierapplications	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB4212PBF	文件：832.03 Kbytes Page：7 Pages	KeyparametersoptimizedforClass-Daudioamplifierapplications Description ThisDigitalAudioMOSFETisspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalGateresistanceareopti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB4212PBF	文件：298.76 Kbytes Page：8 Pages	KeyparametersoptimizedforClass-Daudioamplifierapplications	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4212PBF	文件：292.17 Kbytes Page：7 Pages	DIGITALAUDIOMOSFET Description ThisDigitalAudioMOSFETisspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalGateresistanceareopti	IRF International Rectifier	IRF

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