CMPT5551E中文资料Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage数据手册Central规格书
| 厂商型号 |
CMPT5551E |
| 参数属性 | CMPT5551E 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 220V 0.6A SOT23 |
| 功能描述 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-24 20:07:00 |
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CMPT5551E规格书详情
简介
CMPT5551E属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Central制造生产的CMPT5551E晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：CMPT5551E
- 生产厂家
：Central
- Case
：SOT-23(TO-236AB)
- Configuration/ Description
：NPN High Voltage
- Polarity
：NPN
- IC MAX
：600mA
- PD MAX
：350mW
- VCEO MAX
：220V
- hFE MIN
：120
- hFE MAX
：300
- @VCE
：5V
- @IC
：10mA
- VCE(SAT) MAX
：75mV
- @IC
：10mA
- @IB
：1mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：6pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：100MHz
- NF MAX
：8dB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRALSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
12000 |
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询价 | ||
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SOT-23 |
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