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FMBT3904	文件：36.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BV40VMin.@I=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT3904	文件：529.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistorCollector-EmitterVoltageVCEO NPNGeneralPurposeTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FMBT3904W	文件：884.34 Kbytes Page：11 Pages	SMDNPNTransistor 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=40V@IC=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT3904	文件：46.2 Kbytes Page：2 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FN3904G	文件：1.30635 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=30V,ID=100A RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=5.0mΩ@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FTC3904H	文件：465.63 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3904	文件：1.04817 Mbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3904Z	文件：1.15746 Mbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GL3904	文件：190.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTO Description TheGL3904isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V ComplementarytoGL3906	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GL3904	文件：192.32 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL

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详细参数

型号：
CMPT3904G
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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