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CMPT2907AE数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
CMPT2907AE |
| 参数属性 | CMPT2907AE 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 |
| 功能描述 | Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Central Central Semiconductor Corp |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 11:45:00 |
| 人工找货 | CMPT2907AE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CMPT2907AE规格书详情
简介
CMPT2907AE属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的CMPT2907AE晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：CMPT2907AE
- 生产厂家
：Central
- Case
：SOT-23 (TO-236AB)
- Configuration/ Description
：PNP General Purpose Amplifier/Switch
- Polarity
：PNP
- IC MAX
：600mA
- PD MAX
：350mW
- VCEO MAX
：60V
- hFE MIN
：100
- hFE MAX
：300
- @VCE
：10V
- VCE(SAT) MAX
：200mV
- @IC
：150mA
- @IB
：15mA
- Cob TYP
：-
- Cob MAX
：8pF
- fT TYP
：-
- fT MIN
：200MHz
- NF MAX
：-
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