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CMPA1D1E025F-AMP	文件：4.06768 Mbytes Page：17 Pages	25 W, 13.75 - 14.5 GHz, 40 V, Ku-Band GaN MMIC, Power Amplifier 文件：4.06768 Mbytes 页数：17 Pages	Cree 科锐	Cree
CMPA1D1E025F-TB	文件：4.06768 Mbytes Page：17 Pages	25 W, 13.75 - 14.5 GHz, 40 V, Ku-Band GaN MMIC, Power Amplifier 文件：4.06768 Mbytes 页数：17 Pages	Cree 科锐	Cree
CMPA1D1E025F	文件：2.83204 Mbytes Page：19 Pages	25 W, 13.75 - 14.5 GHz, 40 V, Ku-Band GaN MMIC, Power Amplifier Description Wolfspeed’s CMPA1D1E025F is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC) on a silicon carbide (SiC) substrate, using a 0.25 μm gate length fabrication process. The Ku-Band 25W MMIC is targeted for commercial K 文件：2.83204 Mbytes 页数：19 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CMPA1D1E025F	文件：4.06768 Mbytes Page：17 Pages	25 W, 13.75 - 14.5 GHz, 40 V, Ku-Band GaN MMIC, Power Amplifier 文件：4.06768 Mbytes 页数：17 Pages	Cree 科锐	Cree

更多CMPA1D1E025F-AMP供应商更新时间2025-11-21 16:02:00