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LM3820N	文件：118.72 Kbytes Page：4 Pages	AMRADIOSYSTEM	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LWTN-3820	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-3820/Q	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-3820SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
M3820	文件：230.42 Kbytes Page：1 Pages	TiteSnap-In-2®LiquidTightCordgrips	HeycoHeyco. 海科	Heyco
MAN3820A	文件：700.2 Kbytes Page：8 Pages	0.300-INCHSEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT
MIC-3820	文件：912.54 Kbytes Page：3 Pages	3UHeightCompactPCI®SerialEnclosurefor3UCards Features 3Uheight84HP/44HPenclosureoptionswith9-slotor7-slotCPCI-Serial backplane Built-inefficientcoolingsystemonthetopandbottomcover PCIe(Gen3),SATA(Gen3),USB2.0/USB3.0,Ethernet(10GBase-T)interfaces support PICMGCompactPCISerial(CPCI-S.0R2.0)compliant	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MIC-3820	文件：308.59 Kbytes Page：2 Pages	3UCompactPCI®SerialDC250WPowerSupplyUnit Features 3Ux8HPCPCIserialformfactor M12orWAGODC-INconnector Wideoperatingtemperature-40°Cto+70°C 1+1redundancy,hot-swappable ReservePMBuscommunication Wideinput66-160VDC 80Plusefficiency MeetsEN50155classS2&C2compliance	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MIC-3820	文件：349.16 Kbytes Page：1 Pages	3UCompactPCI®SerialSATACarrierBoard Features 3UHeightCompactPCISerialinterfaceperipheralboard 2.5SATASSD/HDDcarrier PICMGCompactPCISerial(CPCI-S.0R2.0)compliant	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
MIC-3820	文件：719.75 Kbytes Page：2 Pages	3UCompactPCI®SerialIntel®9thGen.ProcessorBlade Features Intel®9thGen14nmXeon®/Core™processorwithCM246PCH Upto32GBDDR4by2channels,withECCorNon-ECCoptions 2RJ45GbELAN,2USB3.0,2DPonfront4HPpanel 2M12X-CodingGbELAN,1DB9COMonMIC-3308HPpanel Uptotwoonboard2280M.2socketsatSATAIIIspeed	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH

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详细参数

型号：
CMLT3820G
功能描述：
两极晶体管 - BJT Small Signal Transistor NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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