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CMLT3820G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

CMLT3820G
厂商型号

CMLT3820G

参数属性

CMLT3820G 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT563

功能描述

SURFACE MOUNT PICOminiTM VERY LOW VCE(SAT) NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 60V 1A SOT563

封装外壳

SOT-563,SOT-666

文件大小

115.66 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
CENTRAL
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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CMLT3820G规格书详情

CMLT3820G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美国中央半导体制造生产的CMLT3820G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT3820G is a very low VCE(SAT) NPN Transistor, designed for applications where small size and efficiency are the prime requirements. Packaged in a space saving SOT-563 surface mount package, this component provides performance characteristics suitable for the most demanding size constrained applications.

MARKING CODE: 38G

FEATURES:

• Device is Halogen Free by design

• High Current (IC=1.0A)

• VCE(SAT)=0.28V MAX @ IC=1.0A

• SOT563 surface mount package

• Complementary PNP device CMLT7820G

APPLICATIONS:

• DC/DC Converters

• Voltage Clamping

• Protection Circuits

• Battery powered Cell Phones, Pagers,

Digital Cameras, PDAs, Laptops, etc.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CMLT3820G TR PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    280mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-563

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A SOT563

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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