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CMKTC825E数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

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厂商型号

CMKTC825E

参数属性

CMKTC825E 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 6.2V 325MW SOT363

功能描述

Surface mount Diode-Zener Temperature Compensated
DIODE ZENER 6.2V 325MW SOT363

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Central Central Semiconductor Corp

中文名称

美国中央半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:17:00

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CMKTC825E规格书详情

简介

CMKTC825E属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的CMKTC825E二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CMKTC825E

  • 生产厂家

    :Central

  • Case

    :SOT-363 (SC-88)

  • Configuration/ Description

    :Temperature Compensated

  • PD MAX

    :325mW

  • IZM MAX

    :-

  • VZ NOM

    :6.2V

  • VZ MIN

    :5.89V

  • VZ MAX

    :6.51V

  • ZZT MAX

    :20Ω

  • @IZT

    :7.5mA

  • IR MAX

    :-

  • @VR

    :-

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