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DAN222	文件：2.68426 Mbytes Page：4 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES: ●Fourtypesofpackagingareavailable ●Highspeed ●Suitableforhighpackingdensitylayout ●Highreliability	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
DAN222	文件：134.22 Kbytes Page：2 Pages	SWITCHINGDIODE Features Powerdissipation PD:225mW(Tamb=25°C) PluseDrain IF:200mA ReverseVoltage VR:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
DAN222	文件：151.22 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountFastSwitchingDiode FEATURES ●Ultra-Smallsurfacemountpackage. ●Fastswitchingspeed. ●Forgeneralpurposeswitchingapplications. ●Lowconductance. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
DAN222	文件：165 Kbytes Page：5 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeis designedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.This deviceishousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesigned forlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •Lo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222	文件：536.47 Kbytes Page：7 Pages	DUALSWITCHINGDIODESCOMMONCATHODESILICON DESCRIPTION ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC-89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. The DAN222isavailablei	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
DAN222	文件：97.21 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE DualDiodeCommonAnodeandCathode FastSwitching SurfaceMountPackageIdeallySuitedfor AutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
DAN222G	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222G	文件：125.18 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSOT−416/SC−90packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •LowCD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222G	文件：165 Kbytes Page：5 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeis designedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.This deviceishousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesigned forlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •Lo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222M	文件：611.22 Kbytes Page：3 Pages	Switchingdiode Features 1)Ultrasmallmoldtype.(VMD3) 2)Highreliability. Applications Ultrahighspeedswitching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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