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CMLT5551	文件：90.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPICOminiDUALNPNSMALLSIGNALSILICONSWITCHINGTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5551consistsoftwoindividual,isolatedNPNsilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-563sufacemountpackage.Thisdevicehasbeendesignedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:5C5	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5551HC	文件：88.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPICOminiHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5551HCisahighcurrentNPNsilicontransistor,manufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-563sufacemountpackage.Thisdevicehasbeendesignedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKINGCODE:C51	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551	文件：78.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:1FF	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551E	文件：119.13 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-23case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:C555 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551HC	文件：111.91 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKINGCODE:1FHC	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551	文件：119.63 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:55C	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551E	文件：144 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-523case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:5C1 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CTLT5551	文件：413.04 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSENPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：309.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ●CollectorCurrent:ICM=0.6A ●Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ●Marking	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
CMBT5551T/-W
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 0.6A 160V HV
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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